1）第三代半導體很新，但不是革命性的創新，是對現有產品的補充而非替代。王炸材料還是屬于硅；
2）技術有挑戰，市場以6寸為主，能做8寸的就算先進；不像硅材料，8寸比比皆是，12寸遍地開花。
3）材料特性：高頻、寬禁帶，適合新能源汽車以及射頻，是市場的寵兒。
4）行業資本投入規模小，龍頭以IDM為主；
5）產業價值劃分，得基板者得天下。
從半導體材料進化看第三代半導體，屬于補充而非革命性創新
你們知道么，世界上第一只晶體管是由鍺生產出來的。鍺，最外層電子能級較高，導電性能好，不過，會產生不必要的熱。而后發現了硅，兩者合并組成第一代半導體。
值得說的是，硅具有價格低、儲能多的優點，最終硅取代了鍺，成為主流半導體材料，如CPU、GPU、內存、手機的 SoC 等器件都用的它。
目前，95%以上的半導體器件和 99%以上的集成電路都是由 Si 材料制作。
第一代半導體光學性能差，于是伴隨4G到來，感光性能好的第二代半導體就產生了，因為磷化銦有毒、價高，砷化鎵則成了主流。廣泛應用在通信設備，如毫米波器件、發光器件、衛星通訊、移動通訊、光通訊、GPS 導航等。
用比較實在的例子就是蘋果手機的面部解鎖、屏下指紋識別都需要用到感光性能。
隨著5G發展以及新能源汽車的出現，一些禁帶寬度大的材料就需要。
所謂的禁帶寬度反映了價電子被束縛強弱程度，直接決定著器件的耐壓和最高工作溫度，你想新能源汽車的快充、光伏面板都需要它——第三代半導體，其特性為寬禁帶，是1、2代材料的3倍，耐高壓能力就搶；能量密度高；使用壽命更長。